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局部放電現象研究(2)
點擊次數:2981 更新時間:2017-12-11

1.1 局部放電現象的研究

1.1.2 局部放電過程

 

局放過程是放電的發展效應,它伴隨著每次放電現象,這些效應(例如電流波形)取決于材料和電場分布,并為表示局放的特性提供了一些手段。

 

局放過程有很大的多樣性,局放在設備的高壓電氣絕緣中發生。這種多樣性是由于所用的絕緣材料范圍很大,特定的絕緣系統中空隙或界面的幾何形狀有很大區別。放電通常在氣相發生,這可能在氣體絕緣的開放體積中發生,如空氣和SF6,也可能在固體絕緣的含有氣體的孔隙中發生。它還可能在液體絕緣的氣泡中發生,這種氣泡是由于液體自身氣化或者水分氣化而產生的。然而,即使放電通常被看作是氣體放電,但是在固體和液體中也可能發生電子崩,在*次電子崩之后,可能形成空腔包含的蒸汽或等離子體。然后可能促成再次氣體放電條件的形成。

 

我們可以認為放電主要是氣體放電,如上所述,當場強超過確定的強度并且存在活化電子時,這些放電就發生。氣體放電存在許多類型(例如輝光放電、流注、Townsend和先導放電)。它們中發生哪一種取決于電場、電場分布、氣體類型和材料/固體/液體周圍的表面情況。這些又決定了所產生的電流脈沖的形狀。例如在SF6中電流脈沖的上升時間比在空氣中或者輝光放電快,這個特性原則上可用于表示放電的特性。

 

上限頻率在0.5-1.OMHz范圍的傳統局放檢測系統不能采集真實的電流脈沖波形,所以不能提供詳細的局放“指紋圖”的圖像,但是現代化的高頻天線、電流變換器或者羅高夫斯基線圈傳感器為描述信號中的高頻分量提供了可能性,所以可以采集更詳細的局放波形特性。

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